fz300c是什么材质（zyf300什么材料）

今天给各位分享fz300c是什么材质的知识，其中也会对zyf300什么材料进行解释，现在开始吧！

金刚石能否代替芯片的基体材料硅？

金刚石要能代替芯片的基本材料硅的话，母猪都能上树。在半导体发展 历史 上，最初流行锗半导体，不久就被硅半导体打败，最终硅统治了半导体王国，锗半导体仅在少数领域刷存在感。实话实说，金刚石虽然能俘虏女人的心，但在半导体行业人士眼里，商业价值甚至比不过锗。

下面，我条分缕析，一一解析原因。

要替代硅，元素含量必须丰富，容易开采

硅被称为“上帝赐给人类的财富”，原因之一是，它占地壳总质量的26.4%，是仅次于氧的含量第二丰富的元素，随便抓起一把沙子、泥土，拿起一块石头，里面都含有大量的硅的氧化物——二氧化硅。

相比之下，锗的含量只有100万分之7，含量十分稀少，而且几乎没有比较集中的锗矿，

这就造成锗的开采成本是硅的几百倍，商业价值很低。

金刚石虽然有集中的金刚石矿，但含量太少了。2015年，全球半导体级的多晶硅需求超过6万吨，每年都在增长。想要替代硅的话，上哪去找每年6万多吨的金刚石？

金刚石提纯难

金刚石含有或多或少的杂质，要去除这些杂质，以目前的 科技 ，很难做到。而硅的提纯相对容易得多，将硅石在电弧炉中熔化，用碳或石墨还原，得到硅含量98.5%的工业硅（又叫“金属贵”），然后粉碎成微细粉末，与液态氯化氢（不是盐酸，盐酸是氯化氢的水溶液）在大约300摄氏度发生反应，生成三氯氢硅，经蒸馏、精制，获得很高的纯度，然后将高纯三氯氢硅与超高纯氢发生还原反应，得到纯度99.999999999%的多晶硅（比纯金多7个9），然后拉制单晶硅。

一根直径12英寸（目前最大）的单晶硅棒，高约2米，重约350公斤，纯度99.999999999%，相当于100亿个硅原子中，允许1个杂质原子存在。

从上述过程可以看出，硅的提纯就是一系列连续的氧化、还原反应。要让化学反应产生，元素的化学性质需要相对活泼，但金刚石的主要成分是碳元素，碳的化学性质远不及硅活泼，难以进行去除杂质的氧化、还原反应，纯度提升很难。

金刚石加工难

在提纯难关之后，加工的难题才是最大的难题。制作芯片前，单晶硅棒需要切成薄片，硅的硬度虽然高，但可以利用自然界最硬的物质金刚石进行切割。

但，用金刚石做芯片基体材料，切割将是难题，用金刚石切割金刚石，效率低，费用高，只能用硬度更高的人造物质。

目前已知硬度最高的人造物质是碳炔，硬度是金刚石的40倍，但还处于试验阶段，未到大规模商业化阶段。如何将金刚石切片，现在还没有很好的解决办法。

就算不久的将来，碳炔能顺利商用，金刚石能被切成薄片，真正的难题来了：如何制造绝缘膜？

在硅片上制造绝缘膜非常方便，将硅片放到900摄氏度左右的高温水蒸气环境中，硅片就会与氧发生热氧化反应，在表面生长硅氧化膜——二氧化硅（玻璃的主要成分），然后对其涂抹光刻胶，进行刻蚀，再配合其它工艺和材料，就可以得芯片。硅氧化膜具有不吸潮、耐酸碱、导热性好、光学性能稳定、绝缘性能良好的特点（感觉抽象的，脑想想玻璃的特点），是芯片制作的前提，而且通过硅这种基体材料就可以方便地得到硅氧化膜，正是因为硅氧化膜如此重要，得来又如此容易，加上硅含量丰富，所以硅才被称为“上帝赐给人类的财富”。

金刚石做芯片基体的话，氧化膜从那里来？金刚石本身是纯碳，其氧化物是二氧化碳，常温下是气态，充当绝缘？那是不可能的，一形成人家就跑到空气中逍遥自在了。用其它氧化物？试验验证、工艺流程研发、设备改造，花钱海去了，还不一定能成功。

总之，用金刚石做芯片基体材料，不仅含量少，而且加工极难，商业价值极低，由于这些缺点，根本不可能取代硅在芯片行业的地位。

回答这个问题，必须弄清三方面问题：

我认为， 金刚石不能代替芯片的基体材料硅 。

哪些材料能用于芯片基体？

能用于制作芯片基体的半导体材料有如下几类：

由上述分类可以看出，金刚石的确是半导体材料，有做成芯片基体的潜能。接下来需要考虑，金刚石能否满足芯片对基体材料的要求。

金刚石能否替代硅？

这个问题需要从两者的化学特性和工业制作成本来考虑。

一、化学特性对比

硅有无定形硅和晶体硅两种同素异形体，晶体硅为灰黑色，无定形硅为黑色，密度2.32-2.34克/立方厘米，熔点1410 ，沸点2355 ，晶体硅属于原子晶体。不溶于水、硝酸和盐酸，溶于氢氟酸和碱液。硬而有金属光泽。

硅的电导率与其温度有很大关系，随着温度升高，电导率增大，在1480 左右达到最大，而温度超过1600 后又随温度的升高而减小。

金刚石它是一种由碳元素组成的矿物，是碳元素的同素异形体，金刚石是自然界中天然存在的最坚硬的物质。其结构是正八面体晶体，晶体中每个碳原子都以sp3杂化轨道与另外4个相邻的碳原子形成共价键，每四个相邻的碳原子均构成正四面体。晶体类型金刚石中的CC键很强，所有的价电子都参与了共价键的形成，没有自由电子，所以金刚石硬度非常大，不导电，熔点在3815 。金刚石在纯氧中燃点为720~800 ，在空气中为850~1000 。

二、工业制作对比

1.原料成本

硅也是极为常见的一种元素，然而它极少以单质的形式在自然界出现，而是以复杂的硅酸盐或二氧化硅的形式，广泛存在于岩石、砂砾、尘土之中。硅在宇宙中的储量排在第八位。在地壳中，它是第二丰富的元素，构成地壳总质量的26.4%，仅次于第一位的氧（49.4%）。

世界上有20多个国家赋存有金刚石矿产，主要分布在澳大利亚、非洲西部和南部，以及俄罗斯的亚洲部分。目前，全世界金刚石产量每年超过100百万克拉，其中宝石级15%，近宝石级38%，工业级47%。

相比于硅的来源，金刚石因存量少，原料成本是相当高的。

2.制作成本

金刚石的出产是很复杂的，它需要经过采矿、粉碎、冲洗、沉淀、挑选、分类、切割、打磨以及抛光等诸多工序之后才能出现在市场上。从开采的大块岩石中将钻石分离出来是相当困难的。即使有先进的技术，发掘的过程仍然十分复杂。而生产一颗切磨好的1克拉重的金刚石，必须从钻石矿藏中挖出至少约250吨的矿土进行加工处理而成。

金刚石还因硬度太高，难以加工；此外，相比于单晶硅，金刚石提纯工艺复杂，很难提纯到6个9或7个9的等级。

总结

金刚石从理论上来说，是可以作为芯片基体材料的。但是，从工业制作的角度来说，原料储存少、加工难度大的金刚石，不适合替代硅制作芯片，即便制作出来了，价格也是难以承受的。

特殊情况，特殊对待。一般是没有那么替的

不会，因为它不具备半导体特性，而且加工提纯困难。

碳化硅（SIC）是半导体界公认的“一种未来的材料”，是新世纪有广阔发展潜力的新型半导体材料。预计在今后5 10年将会快速发展和有显著成果出现。促使碳化硅发展的主要因素是硅（SI）材料的负载量已到达极限，以硅作为基片的半导体器件性能和能力极限已无可突破的空间。而金刚石虽然说本质也是碳，但原子排列不一样，目前不能代替芯片材料！至少是几十年以内！

未来碳基芯片有可能替代硅基芯片。

金刚石是可以代替芯片的基体材料硅。

硅被采用作为芯片的基本材料，第一个是因为它储量巨大。硅在自然界并不单独存在，最常见的化合物是二氧化硅和硅酸盐，广泛存在于岩石、砂砾和尘土。如此作为芯片制造的基本材料，是非常容易得到。

第二个原因是硅提纯技术发展成熟，人类可以生产近乎完美的硅晶体

第三个原因是硅性质稳定，包括化学性质和物理性质。例如曾经做过芯体材料的锗，当温度达到75 以上时，其导电率有较大变化。对于芯片而言，此现象将会引发其性能的稳定性。硅相比锗，就优秀的多。

尽管硅有如此多的优点，作为半导体材料，用来制作芯片的基本组件晶体管。但是，随着现代经济的发展，在越来越多的需要提高速度、减少延迟和光检测的应用中，硅正在达到性能的极限。为此需要寻求新材料的突破，从而制造全新的芯片。

金刚石，俗称钻石，如果用纯天然的钻石制造芯片，价格昂贵，且芯片总体数量是可预估的。但是金刚石原料的储量是可以依靠人造钻石来解决。

其次，在性质表现方面，钻石作为半导体材料具有最好的绝缘耐压性和最高的热传导率。人们通常观念里认为钻石不导电，该说法不严谨，实际上钻石电阻非常大。但是目前日本研究员在钻石中掺进杂质解决了该问题，并首次制成双极型晶体管，为研究节能半导体元件开辟了道路。

设想钻石作为半导体制作的手机芯片出现，由于耐受高温的特性，电子元器件的老化会得到有效遏制，自然智能手机的电子寿命会延长。其次该芯片能够减少发热量，手机会变得更薄，省下来的空间也可以用来提升手机性能。这仅仅是手机领域，像重工业和航天工业借助钻石芯片受惠更多。

金刚石是可以替代硅的，只是目前还存在一定的技术难度，需要科研人员努力 探索 。

硅的性质，氧化二氧化硅，可作绝缘材料，单晶硅，渗其它元素后，形成极性，可外延可，气相叠加，可化学刻录图案，而金刚石，是碳，有以工能吗，如有气相叠加单晶硅，有可以作极性材料，一是散热率，二导电率。

对这个问题我们首先分析这两种材料的特性之后再做判断。

一、硅

化学成分

硅是重要的半导体材料，化学元素符号Si。电活性杂质磷和硼在合格半导体和多晶硅中应分别低于0.4ppb和0.1ppb。拉制单晶时要掺入一定量的电活性杂质，以获得所要求的导电类型和电阻率。重金属铜、金、铁等和非金属碳都是极有害的杂质，它们的存在会使PN结性能变坏。硅中碳含量较高，低于1ppm者可认为是低碳单晶。碳含量超过3ppm时其有害作用已较显著。硅中氧含量甚高。氧的存在有益也有害。直拉硅单晶氧含量在5 40ppm范围内；区熔硅单晶氧含量可低于1ppm。

硅的性质

硅具有优良的半导体电学性质。禁带宽度适中，为1.12电子伏。载流子迁移率较高，电子迁移率为1350厘米2/伏秒，空穴迁移率为480厘米2/伏秒。本征电阻率在室温(300K)下高达2.3 105欧厘米,掺杂后电阻率可控制在104 10-4 欧厘米的宽广范围内，能满足制造各种器件的需要。硅单晶的非平衡少数载流子寿命较长,在几十微秒至1毫秒之间。

热导率较大。化学性质稳定，又易于形成稳定的热氧化膜。在平面型硅器件制造中可以用氧化膜实现PN结表面钝化和保护，还可以形成金属-氧化物-半导体结构,制造MOS场效应晶体管和集成电路。上述性质使PN结具有良好特性，使硅器件具有耐高压、反向漏电流小、效率高、使用寿命长、可靠性好、热传导好，并能在200高温下运行等优点。

技术参数

硅单晶主要技术参数有导电类型、电阻率与均匀度、非平衡载流子寿命、晶向与晶向偏离度、晶体缺陷等。

导电类型 　导电类型由掺入的施主或受主杂质决定。P型单晶多掺硼，N型单晶多掺磷,外延片衬底用N型单晶掺锑或砷。

电阻率与均匀度 　拉制单晶时掺入一定杂质以控制单晶的电阻率。由于杂质分布不匀，电阻率也不均匀。电阻率均匀性包括纵向电阻率均匀度、断面电阻率均匀度和微区电阻率均匀度。它直接影响器件参数的一致性和成品率。

非平衡载流子寿命 　光照或电注入产生的附加电子和空穴瞬即复合而消失，它们平均存在的时间称为非平衡载流子的寿命。非平衡载流子寿命同器件放大倍数、反向电流和开关特性等均有关系。寿命值又间接地反映硅单晶的纯度，存在重金属杂质会使寿命值大大降低。

晶向与晶向偏离度 　常用的单晶晶向多为 (111)和(100)（见图）。晶体的轴与晶体方向不吻合时，其偏离的角度称为晶向偏离度。

单晶硅的制作

硅单晶按拉制方法不同分为无坩埚区熔(FZ)单晶与有坩埚直拉(CZ)单晶。区熔单晶不受坩埚污染，纯度较高，适于生产电阻率高于20欧厘米的N型硅单晶（包括中子嬗变掺杂单晶）和高阻 P型硅单晶。由于含氧量低，区熔单晶机械强度较差。

大量区熔单晶用于制造高压整流器、晶体闸流管、高压晶体管等器件。直接法易于获得大直径单晶，但纯度低于区熔单晶，适于生产20欧厘米以下的硅单晶。由于含氧量高,直拉单晶机械强度较好。大量直拉单晶用于制造MOS集成电路、大功率晶体管等器件。外延片衬底单晶也用直拉法生产。硅单晶商品多制成抛光片，但对FZ单晶片与CZ单晶片须加以区别。外延片是在硅单晶片衬底（或尖晶石、蓝宝石等绝缘衬底）上外延生长硅单晶薄层而制成，大量用于制造双极型集成电路、高频晶体管、小功率晶体管等器件。

单晶硅的应用

单晶硅在太阳能电池中的应用，高纯的单晶硅是重要的半导体材料。在光伏技术和微小型半导体逆变器技术飞速发展的今天，利用硅单晶所生产的太阳能电池可以直接把太阳能转化为光能，实现了迈向绿色能源革命的开始。

二、金刚石

金刚石俗称“金刚钻”。也就是我们常说的钻石的原身，它是一种由碳元素组成的矿物，是碳元素的同素异形体。金刚石是自然界中天然存在的最坚硬的物质。金刚石的用途非常广泛，例如：工艺品、工业中的切割工具。石墨可以在高温、高压下形成人造金刚石。也是贵重宝石。

化学性质

金刚石是在地球深部高压、高温条件下形成的一种由碳元素组成的单质晶体，是指经过琢磨的金刚石。金刚石是无色正八面体晶体，其成分为纯碳，由碳原子以四价键链接，为目前已知自然存在最硬物质。由于金刚石中的C-C键很强，所有的价电子都参与了共价键的形成，没有自由电子，所以金刚石硬度非常大，熔点在华氏6900度，金刚石在纯氧中燃点为720~800 ，在空气中为850~1000 ，而且不导电。

结构性质

金刚石结构分为；等轴晶系四面六面体立方体与六方晶系钻石。

在钻石晶体中，碳原子按四面体成键方式互相连接，组成无限的三维骨架，是典型的原子晶体。每个碳原子都以SP3杂化轨道与另外4个碳原子形成共价键，构成正四面体。由于钻石中的C-C键很强，所以所有的价电子都参与了共价键的形成，没有自由电子，所以钻石不仅硬度大，熔点极高，而且不导电。在工业上，钻石主要用于制造钻探用的探头和磨削工具，形状完整的还用于制造手饰等高档装饰品，其价格十分昂贵。

结论：金刚石不能代替芯片的基体材料硅。

不要再提 豫金刚石 啦，它已经被关啦

七喜AW300C可以换显卡吗?

七喜 AW300C 主要性能设计类型 光驱内置

产品类型 家用

CPU类型 Celeron-M(Yonah-533)

迅驰技术 不支持

标称频率 1.6GHz

CPU描述 Yonah(单核心)

二级缓存 2048KB

主板描述 I945GM

屏幕尺寸 12.1英寸

屏幕描述 WXGA(1280800)

是否宽屏 是

内存类型 DDRII

内存大小 256MB

七喜 AW300C 存储性能硬盘大小 60GB

硬盘描述 SATA

光驱类型 康宝

软驱描述 无

七喜 AW300C 视频/音频显卡类型 集成显卡

显卡芯片 Intel GMA 950

音频系统 Intel High Definition Audio、内建全双工 3D 立体音效设备、内建高品质麦克风和立体扬声器

七喜 AW300C 输入输出WLAN性能 3945ABG 无线网卡（选配）

网卡描述 100Mbps网卡

调制解调器 56K

标准接口 1个VGA显示输出接口、4个USB2.O接口、1个TV-OUT、1个IEEE1394、 1个调制解调器和1个局域网络插孔、2个音频插孔，音频输出（兼SPDIF接口）/麦克风输入孔、1个PCI Express支持 Type Ⅱ PC卡插槽、1个四合一读卡器

七喜 AW300C 电能规格电池类型 6芯锂电池

七喜 AW300C 环境要求工作温度 0-40℃

工作湿度 20%-80%

存储温度 -20-60℃

存储湿度 10%-90%

七喜 AW300C 基本特征外壳材质 镁合金

外形尺寸 29922024～32mm

笔记本重量 1800g

七喜 AW300C 其他特性操作系统 DOS

上市日期 2006

附带软件 随机光盘及驱动程序

随机附件 电源适配器、软件光盘、说明书

笔记本的集成显卡是无法更换显卡的，独显一般也都是焊死的，无法更换

李宁的羽毛球拍300C怎么样？？？

呵呵，朋友，你能问300C会不会太硬，说明您对李宁羽拍还是有所了解的。首先老生常谈，李宁的部分羽拍是按照ABC排列的，A软，B适中，C硬。再者， 李宁的材质都比较号，最便宜的球拍360元能买个高刚性碳纤维的，480元能买个超高刚性碳纤维。最后我帮你把bp300的测评做一下： BP300系列售价1180元，在李宁专营店就能买到，不像BP301系列只用于电子商务销售。 科技：立体编织系列BP300C，进攻型高端羽毛球拍，免钉孔，机翼恒定系统，纳米技术，全方位力学优化拍框等 材料科技：立体编织碳+超导纳米

长度：675MM

平衡点:296-304

拉线磅数：20-26磅

规格;W2/S2

中杆弹性：硬 如果您力量不大的话，如果非要选择李宁的羽拍的话，我还是建议你用稍微便宜的，市场售价760元，货号 李宁TB201B

拍子破风结构，挥拍速度快，也质保到26镑。如果你觉得便宜的话，可以考虑下和300C价位差不多的，最新款空气导流槽的，质保磅数28磅的拍子。

电线的标识字母是什么？

记住常用线缆是没问题的。br/br/ 我国的电线电缆的型号是7组字母和数字组成的， 第一组由一个到二个字母组，表示导线的类别、用途。br/br/ 如：A-安装线、B-布电线、C-船用电缆、K-控制电缆、N-农用电缆、R-软线、U-矿用电缆、Y-移动电缆、JK-绝缘架空电缆、M-煤矿用、ZR-阻燃型、NH-耐火型、ZA-A级阻燃 、ZB-B级阻燃、ZC-C级阻燃、WD-低烟无卤型 。br/br/ 第三组是一个字母，表示绝缘层， 如：V—PVC塑料、YJ—XLPE绝缘、X—橡皮、?Y—聚乙烯料 、F—聚四氟乙烯 nbsp。

探究的一般过程是从发现问题、提出问题开始的,发现问题后,根据自己已有的知识和生活经验对问题的答案作出假设．设计探究的方案,包括选择材料、设计方法步骤等．按照探究方案进行探究,得到结果,再分析所得的结果与假设是否相符,从而得出结论．并不是所有的问题都一次探究得到正确的结论．有时,由于探究的方法不够完善,也可能得出错误的结论．因此,在得出结论后,还需要对整个探究过程进行反思．探究实验的一般方法步骤：提出问题、做出假设、制定计划、实施计划、得出结论、表达和交流．

科学探究常用的方法有观察法、实验法、调查法和资料分析法等．

观察是科学探究的一种基本方法．科学观察可以直接用肉眼,也可以借助放大镜、显微镜等仪器,或利用照相机、录像机、摄像机等工具,有时还需要测量．科学的观察要有明确的目的；观察时要全面、细致、实事求是,并及时记录下来；要有计划、要耐心；要积极思考,及时记录；要交流看法、进行讨论．实验方案的设计要紧紧围绕提出的问题和假设来进行．在研究一种条件对研究对象的影响时,所进行的除了这种条件不同外,其它条件都相同的实验,叫做对照实验．一般步骤：发现并提出问题；收集与问题相关的信息；作出假设；设计实验方案；实施实验并记录；分析实验现象；得出结论．调查是科学探究的常用方法之一．调查时首先要明确调查目的和调查对象,制订合理的调查方案．调查过程中有时因为调查的范围很大,就要选取一部分调查对象作为样本．调查过程中要如实记录．对调查的结果要进行整理和分析,有时要用数学方法进行统计．收集和分析资料也是科学探究的常用方法之一．收集资料的途径有多种．去图书管查阅书刊报纸,拜访有关人士,上网收索．其中资料的形式包括文字、图片、数据以及音像资料等．对获得的资料要进行整理和分析,从中寻找答案和探究线索．

美的电饭煲哪个型号比较好

美的电饭煲比较好的型号有：

1、美的电饭煲MB-WFS5017TM

这款是美的智能电饭煲，具有5L大容量，可达3-10人使用，非常适合大家庭使用，煲胆运用匠铜聚能釜材质，导热均匀，耐磨损，不粘锅，也很容易清洁，擦一下就干净，采用涡轮蒸汽阀，持续大沸腾，米饭更透芯，强气破泡，煮粥不溢出。

搭载金属拉丝机身，表面选用高品质材料，触摸手感很细腻顺滑，并且颜值非常高，带有三大简单功能，老人也能轻松操作，一煲多用，有多种米饭口感选择。

还有24小时预约功能，不用早起也能喝到粥，下班一回到家就能吃到香碰碰的米饭，省时又省心。

2、美的电饭煲MB-FB40S701

这款美的电饭煲外观很精美，玄武灰金属机身配色，实属王者风范，煮饭很快，具有18分钟热水快煮功能，很省时间，能快速吃到米饭，还有45分钟香浓粥，大火持续加热，煮出来的粥香浓口感好。

还能用来做菜，美的美居APP智能互联，带有海量食谱，想吃什么菜都能一键搞定。采用IH立体环绕加热，可以还原地道柴火饭味道，让米饭香软Q弹，20分钟持续沸腾，吸水利落，米饭粒粒饱满有韧性，不夹生，300pa微压焖煮，锁住米香，让米饭更营养健康。

采用加厚精铁釜内胆，聚能锁热，不粘涂层设计，不脏底不粘锅，轻松清洁。同样有24小时智能预约，下班就能开饭，还拥有4L大容量，满足3-8人需求，还带有8大烹饪功能，蒸煮热饭，焖肉炖汤都可以，非常的实用。

3、美的电饭煲MB-FB40E511

这款美的电饭煲具有4L容量，足够一家8口人使用，具有微压快煮功能，匀热氧化盘高速传热，持续沸腾不溢出。

米粒透芯更饱满，煮出香甜好米饭，采用蒸汽补炊，充分释放米饭营养，采用五层圆灶釜内胆，不会糊底不会粘锅，清洁简单，带有三大达人食谱，想吃什么煮什么。

优化密封圈设计，防止水滴落入米饭或桌面，影响米饭口感。支持全天24小时预约，让您随时都能吃到可口饭菜，并且内盖可以一键拆洗，干净不藏污垢，减少细菌残留，用得放心吃得放心。

4、美的FS406C

美的FS406C电饭煲独特聚能循环加热系统，底盘大功率加热为主，四周、上盖聚能储热为辅，保证360度均匀受热，沸腾更充分。

米粒得到充分的沸腾，就如同柴火米饭般松软有嚼劲，让你寻回儿时的味道。电饭煲采用新一代黄金蜂窝内胆，底部蜂窝设计超强聚能，导热技术锁住水份，最大程度还原柴火米饭的味道，饭香浓郁，饭粒更加晶莹剔透。

5、美的FZ4082电饭煲

美的FZ4082电饭煲采用了棕色设计的外观，煲身为拉丝钢，操控面板上置，大屏幕点阵液晶，光线反射下有种暗金的光泽，色调低调高贵。

整体比较圆润，给人一种小家碧玉的感觉。电饭锅上盖面板设有智能控压的排气装置，超大防溢，解决传统饭煲排气不足的问题。

PP后面的牌号，如PP6， PP8， PPT 等 都代表什么？ 全一点。

聚丙烯，英文名称:Polypropylene，简称:PP。由丙烯聚合而制得的一种热塑性树脂。按甲基排列位置分为等规聚丙烯（isotaeticPolyProlene）、无规聚丙烯（atacticPolyPropylene）和间规聚丙烯（syndiotaticPolyPropylene）三种。

1111_聚乙烯、聚丙烯、E/VAC国家标准牌号命名说明附录二 聚乙烯、聚丙烯、E/VAC国家标准牌号命名说明

本《产品目录》中的聚乙烯、聚丙烯和E/VAC牌号的命名是按照相应的国家标准的命名方法命名的，上述国家标准都参照采用相应的国际标准ISO，现作如下简介。

1 国家标准牌号的基本模式：

聚乙烯、聚丙烯和乙烯－乙酸乙烯脂共聚物的牌号命名是由五个特征单元组成，特征单元之间用连字符（－）连接，在特征单元之间如有某个特征单元不采用，则用两个连字符（――）连接，若处在最末端的特征单元不用，则连字符（――）可省略。

国家标准牌号命名形式为：

各个特征单元内说明的内容均以代号表示，其中：

特征单元 1:

表示聚乙烯的缩写代号为英文字母PE；

表示乙烯－乙酸乙烯酯共聚物的缩写代号为E/VAC；

表示聚丙烯的缩写代号为英文字母PP；

表示丙烯聚合物的类型的缩写代号为：

H－丙烯均聚物；

R－丙烯无规共聚物；

B－丙烯嵌段共聚物；

表示乙酸乙烯酯含量档次及代号：

代号含量范围，%

03＞3≤5

08＞5≤10

13＞10≤15

18＞15≤20

特征单元2：

表示材料的主要用途和加工方法、重要性能及添加剂等均用相应的英文字母作代号。在本《产品目录》中最多有四个代号，最少只有一个代号。代号自左至右排列，依次称第一位、第二位、第三位和第四位。表示材料主要用途或加工方法在第一位写出，重要性能、添加剂等在第二至第四位写出。

特征单元2中所用的代号：

代号第1位代号第2～4位

C压延A加工稳定

E挤出管材、型材和片材B抗粘连

F挤出平膜、薄膜和薄片D粉状

G通用L耐光和（或）气候老化

H涂覆P冲击改性

I吹塑S润滑

J电缆护套X可交联的

M注塑Z抗静电

Q压塑H耐热老化

T挤出扁丝

Y纺丝

特征单元3：

在本特征单元中涉及三个方面内容，即：

聚合物的密度标称值；

熔体流动速率测试条件；

熔体流动速率标称值。

这三个方面内容的排列顺序为先表示聚合物密度标称值，次表示熔体流动速率测试条件，最后表示熔体流动速率标称值。

根据不同的聚合物，在牌号命名中并不把上述三个方面内容都表示出来：聚乙烯牌号的命名中把这三个方面内容都表示出来；聚丙烯牌号的命名中只表示熔体流动速率标称值；乙烯－乙酸乙烯脂共聚物则表示熔体流动速率标称值及熔体流动速率测试条件二个方面内容。

特征单元3中的密度标称值档次代号及范围表示：

代号范围，g/cm3（23℃）

08≤0.910

13＞0.910≤0.916

18＞0.916≤0.921

23＞0.921≤0.925

27＞0.925≤0.930

特征单元3中的熔体流动速率测试条件表示：

代号测试温度标称负荷

D190℃2.16kg

特征单元3中的熔体流动速率标称值档次代号及范围表示：

代号范围，g/10min

000≤0.1

001＞0.1≤0.2

002＞0.2≤0.3

003＞0.3≤0.4

006＞0.4≤0.8

012＞0.8≤1.5

022＞1.5≤3.0

045＞3.0≤6.0

075＞6.0≤9.0

105＞9.0≤12

140＞12≤16

180＞16≤20

225＞20≤25

300＞25≤35

425＞35≤50

特征单元4：

在本《产品目录》牌号中不涉及。

特征单元5：

需作补充说明的内容。在本《产品目录》中，仅用于区别国家标准命名相同的牌号。

国家标准牌号命名举例：

例一 聚乙烯牌号为：PE－FSB－23D022

例二 聚丙烯牌号为：PPB－MP－225――M

例三 乙烯－乙酸乙烯脂共聚物牌号为：E/VAC 13－G－D045

22222 聚乙烯、聚丙烯、E/VAC企业标准牌号命名说明

低密度聚乙烯树脂企业标准牌号命名方法

聚乙烯树脂牌号的命名是由二个部分组成：第一部分为材料的主要用途或加工方法的代号表示，第二部分为材料的熔体流动速率公称值的代号表示。

企业标准牌号命名的基本模式示意图：

主要用途或加

工方法的代号熔体流动速率

公称值的代号

第一部分：

材料的主要用途和加工方法，用汉字拼音字母的第一个字母为代号，本《产品目录》中选用如下代号表示：

Q─轻膜；D─电缆料；ZH─注塑料

N─农膜；DJ─交联电缆基料；Z J─蘸浸料。

Z─重膜；F─复合膜；E─管材

B─薄型薄物；L─流延膜；　

第二部分：

熔体流动速率公称值的代号，是以熔体流动速率公称值乘以100倍后的数值表示之，但不得少于三个整数。如果乘100倍后只有二个整数，则应在这二个整数前面加上一个0；如果乘100倍后的数值为四个整数，则就将这个数作为代号。

例一：MFR为2 2100=200 则以200为代号；

例二：MFR为0.45 0.45100=45 则以045为代号；

例三：MFR为20 20100=2000 则以2000为代号。

第二部分的补充说明：

为了区别材料由于造粒次数不同而命名相同的牌号，则在牌号命名中对熔体流动速率代号的末位数以“0”或“1”来区别：即以“1”表示该材料只经过一次造粒，而以“0”表示该材料经过二次造粒。

二、聚丙烯树脂企业标准牌号命名方法

聚丙烯树脂牌号的命名是由三个部分组成：第一部分为材料的主要用途或加工方法的代号表示，第二部分为材料的熔体流动速率公称值的代号表示，第三部分是以聚合物聚合类型的代号表示。

企业标准牌号命名的基本模式示意图：

加工方法

的代号熔体流动速率

公称值的代号聚合物聚合

类型的代号主要用途或

特征的代号

第一部分：

材料的加工方法，用英文第一个字母为代号，本《产品目录》中选用如下代号表示：

F─挤压平膜；I─吹塑薄膜；Y─纺丝；

FC─挤出平膜芯层；M─注塑；　

H─涂覆；T─挤出扁丝；　

第二部分：

熔体流动速率公称值代号的表示方法与聚乙烯树脂相同。

第三部分：

当聚合物的聚合类型为均聚物时，第三部分省略。其它的聚合物聚合类型代号的表示方法为：

E─无规共聚物；

EP─无规三元共聚物；

M─低乙烯含量的嵌段共聚物；

R─中乙烯含量的嵌段共聚物；

U─高乙烯含量的嵌段共聚物；

H─超高乙烯含量的嵌段共聚物。

第三部分的补充说明：

必要时在第三部分末端列出材料的主要用途或特性的代号。例如：

A─抗静电级H─耐热老化

B─抗粘连L─耐光和（或）气候老化

C─可控流变NA─镀铝

D─医用耐射线专用料S─润滑

G─通用级T─烟用滤嘴丝束专用料。

三、乙烯－乙酸乙烯酯共聚物企业标准牌号命名方法

该产品的牌号命名是由二个部分组成：第一部分是以乙烯－乙酸乙烯酯共聚物别名EVA表示，第二部分是由一个分式表示：其中分子表示乙酸乙烯酯（VA）含量的标称值，而分母则表示熔体流动速率（MFR）的标称值。

企业标准牌号命名的基本模式示意图：

EVA表示VA含量标称值/MFR标称值

333333 聚乙烯、聚丙烯、E/VAC国家标准牌号与企业标准牌号对照表

表1 聚乙烯国家标准牌号、引进牌号及企业标准牌号对照表

序号国家标准牌号引进牌号企业标准牌号

1PE－FSB－27D075YM61B700

2PE－KA－18D001WC30D015

3PE－KA－18D002EC30D024

4PE－MX－18D012EF30D110

5PE－MX－23D022DJ200

6PE－MX－23D022－－ADJ210

7PE－H－13D045LK30FH400

8PE－CSB－23D045ZK60L400

9PE－CSBA－23D045ZK61L401

10PE－GAS－18D012YF30N110

11PE－FAS－18D012AF30N150

12PE－FAS－18D022AH40N220

13PE－FAS－18D045YK30N400

14PE－FASB－18D045YK31N401

15PE－FAS－18D045AK30N450

16PE－FSB－23D022YH50Q200

17PE－FSBA－23D002－－BQ201

18PE－FSB－23D022－－ANH50Q280

19PE－FSBA－23D022－－ANH51Q281

20PE－FSB－23D045－－AQ310

21PE－FSB－23D045YK50Q400

22PE－FA－18D002ZE33Z025

23PE－FA－18D002－－AZ030

24PE－FAS－18D006HE30Z045

25PE－M－18D001ZH015

26PE－M－18D006ZH080

27PE－M－18D012ZH110

28PE－M－18D012－－AZH120

29PE－M－18D012－－BZH150

30PE－M－23D022－－AZH200

31PE－M－18D022－－AZH220

32PE－M－23D022ZH280

33PE－M－18D045ZH400

34PE－M－23D045ZH410

35PE－M－18D075ZH700

36PE－M－18D100ZH1200

37PE－MA－13D200MS30ZH2000

38PE－M－18D300ZH3000

39PE－HAS－23D300ZJ2600

表2 聚丙烯国家标准牌号、引进牌号及企业标准牌号对照表

序号国家标准牌号引进牌号企业标准牌号

1PPH－F－022S38FF180

2PPH－F－022－－AF280

3PPH－F－045F350

4PPR－F－075EP1X35FF800E

5PPH－T－075X30SI800

6PPH－TS－075X37FI900

7PPR－T－022EP2S34FI180E

8PPH－E－003D60PM030

9PPH－E－006Q30PM070

10PPH－M－012M150

11PPH－M－022－－BM180

12PPH－M－022M300

13PPH－M－045M500

14PPH－M－075M700

15PPH－M－105M1100

16PPH－M－140V30GM1600

17PPH－M－225M2600

18PPB－Q－006EQP30MM080M

19PPB－M－012EPS30RM150R

20PPB－M－045EPT30RM350R

21PPB－M－075EPC30RM700R

22PPB－M－140EPF30RM1300R

23PPB－MP－225HHP1M2101R

24PPB－MP－225－－MHHP2M2102R

25PPB－MP－300M3000R

26PPB－MP－012－－AEPS30UM150U

27PPB－MP－105SP179M800U

28PPH－T－022T230

29PPH－T－022－－AT30ST300

30PPH－T－045T350

31PPH－YL－045C30SY600

32PPH－YL－105F30SY1200

33PPH－YL－140Y1600

34PPH－YL－180Y2000

35PPH－YL－225Z30SY2600

36PPH－YL－300H30SY3000

37PPH－YL－425Y3500

38PPH－YL－225Y2600T

39PPH－FZ－022S38FAF200A

40PPH－MZ－300H32GAM3500CA

41PPR－FZ－075EP1X34AFF850EA

42PPR－FZB－075EP1X35AFF850EBA

43PPH－M－225Z11GM2500CD

44PPH－MZ－425H23GM3700C

45PPH－YH－300YZ22SY2500C

46PPH－YH－425H22SY3700C

47PPR－FH－045EP3C37FF500EPS

48PPR－FHS－045EP3C39FF500EP

49PPR－FHS－075EP3X37FF800EPS

50PPH－YL－022S81SY180L

51PPH－FH－022S28FF200

52PPH－YL－022――AYS33LSY200L

53PPH－F－045――AT36FF320

54PPR－M－075EP2X32GAM800E

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