c80u是什么材料（c80钢材）

今天给各位分享c80u是什么材料的知识，其中也会对c80钢材进行解释，现在开始吧！

cpu是怎么做成的？要什么材料，几道工序？

CPU,Central processing unit.是现代计算机的核心部件，又称为“微处理器(Microprocessor)”。对于PC而言，CPU的规格与频率常常被用来作为衡量一台电脑性能强弱重要指标。Intel x86架构已经经历了二十多个年头，而x86架构的CPU对我们大多数人的工作、生活影响颇为深远。

一代一代经典的CPU

许多对电脑知识略知一二的朋友大多会知道CPU里面最重要的东西就是晶体管了，提高CPU的速度，最重要的一点说白了就是如何在相同的CPU面积里面放进去更加多的晶体管，由于CPU实在太小，太精密，里面组成了数目相当多的晶体管，所以人手是绝对不可能完成的，只能够通过光刻工艺来进行加工的。这就是为什么一块CPU里面为什么可以数量如此之多的晶体管。晶体管其实就是一个双位的开关：即开和关。如果您回忆起基本计算的时代，那就是一台计算机需要进行工作的全部。两种选择，开和关，对于机器来说即0和1。那么您将如何制作一个CPU呢？在今天的文章中，我们将一步一步的为您讲述中央处理器从一堆沙子到一个功能强大的集成电路芯片的全过程。（由于CPU的制作过程技术含量太高，小编能力有限，图片与介绍都来至互联网收集）。本文仅是让大家对CPU制作过程有一个比较详细的了解，这样小编的任务也就完成了。

● 制造CPU的基本原料

如果问及CPU的原料是什么，大家都会轻而易举的给出答案—是硅。这是不假，但硅又来自哪里呢？其实就是那些最不起眼的沙子。难以想象吧，价格昂贵，结构复杂，功能强大，充满着神秘感的CPU竟然来自那根本一文不值的沙子。当然这中间必然要经历一个复杂的制造过程才行。不过不是随便抓一把沙子就可以做原料的，一定要精挑细选，从中提取出最最纯净的硅原料才行。试想一下，如果用那最最廉价而又储量充足的原料做成CPU，那么成品的质量会怎样，你还能用上像现在这样高性能的处理器吗？

英特尔技术人员在半导体生产工厂内使用自动化测量工具依据严格的质量标准对晶圆的制造进度进行监测。

除去硅之外，制造CPU还需要一种重要的材料就是金属。目前为止，铝已经成为制作处理器内部配件的主要金属材料，而铜则逐渐被淘汰，这是有一些原因的，在目前的CPU工作电压下，铝的电迁移特性要明显好于铜。所谓电迁移问题，就是指当大量电子流过一段导体时，导体物质原子受电子撞击而离开原有位置，留下空位，空位过多则会导致导体连线断开，而离开原位的原子停留在其它位置，会造成其它地方的短路从而影响芯片的逻辑功能，进而导致芯片无法使用。这就是许多Northwood Pentium 4换上SNDS（北木暴毕综合症）的原因，当发烧友们第一次给Northwood Pentium 4超频就急于求成，大幅提高芯片电压时，严重的电迁移问题导致了CPU的瘫痪。这就是Intel首次尝试铜互连技术的经历，它显然需要一些改进。不过另一方面讲，应用铜互连技术可以减小芯片面积，同时由于铜导体的电阻更低，其上电流通过的速度也更快。

除了这两样主要的材料之外，在芯片的设计过程中还需要一些种类的化学原料，它们起着不同的作用，这里不再赘述。

● CPU制造的准备阶段

在必备原材料的采集工作完毕之后，这些原材料中的一部分需要进行一些预处理工作。而作为最主要的原料，硅的处理工作至关重要。首先，硅原料要进行化学提纯，这一步骤使其达到可供半导体工业使用的原料级别。而为了使这些硅原料能够满足集成电路制造的加工需要，还必须将其整形，这一步是通过溶化硅原料，然后将液态硅注入大型高温石英容器而完成的。

晶圆上的方块称为“芯片（die）”每个微处理器都会成为个人计算机系统的“大脑”。

而后，将原料进行高温溶化。中学化学课上我们学到过，许多固体内部原子是晶体结构，硅也是如此。为了达到高性能处理器的要求，整块硅原料必须高度纯净，及单晶硅。然后从高温容器中采用旋转拉伸的方式将硅原料取出，此时一个圆柱体的硅锭就产生了。从目前所使用的工艺来看，硅锭圆形横截面的直径为200毫米。不过现在Intel和其它一些公司已经开始使用300毫米直径的硅锭了。在保留硅锭的各种特性不变的情况下增加横截面的面积是具有相当的难度的，不过只要企业肯投入大批资金来研究，还是可以实现的。Intel为研制和生产300毫米硅锭而建立的工厂耗费了大约35亿美元，新技术的成功使得Intel可以制造复杂程度更高，功能更强大的集成电路芯片。而200毫米硅锭的工厂也耗费了15亿美元。下面就从硅锭的切片开始介绍CPU的制造过程。

清洁的空气源源不断地从天花板和地板中的空隙中流入室内。无尘车间中的全部空气每分钟都会多次更换。

在制成硅锭并确保其是一个绝对的圆柱体之后，下一个步骤就是将这个圆柱体硅锭切片，切片越薄，用料越省，自然可以生产的处理器芯片就更多。切片还要镜面精加工的处理来确保表面绝对光滑，之后检查是否有扭曲或其它问题。这一步的质量检验尤为重要，它直接决定了成品CPU的质量。

新的切片中要掺入一些物质而使之成为真正的半导体材料，而后在其上刻划代表着各种逻辑功能的晶体管电路。掺入的物质原子进入硅原子之间的空隙，彼此之间发生原子力的作用，从而使得硅原料具有半导体的特性。今天的半导体制造多选择CMOS工艺（互补型金属氧化物半导体）。其中互补一词表示半导体中N型MOS管和P型MOS管之间的交互作用。而N和P在电子工艺中分别代表负极和正极。多数情况下，切片被掺入化学物质而形成P型衬底，在其上刻划的逻辑电路要遵循nMOS电路的特性来设计，这种类型的晶体管空间利用率更高也更加节能。同时在多数情况下，必须尽量限制pMOS型晶体管的出现，因为在制造过程的后期，需要将N型材料植入P型衬底当中，而这一过程会导致pMOS管的形成。

在掺入化学物质的工作完成之后，标准的切片就完成了。然后将每一个切片放入高温炉中加热，通过控制加温时间而使得切片表面生成一层二氧化硅膜。通过密切监测温度，空气成分和加温时间，该二氧化硅层的厚度是可以控制的。在Intel的90纳米制造工艺中，门氧化物的宽度小到了惊人的5个原子厚度。这一层门电路也是晶体管门电路的一部分，晶体管门电路的作用是控制其间电子的流动，通过对门电压的控制，电子的流动被严格控制，而不论输入输出端口电压的大小。

准备工作的最后一道工序是在二氧化硅层上覆盖一个感光层。这一层物质用于同一层中的其它控制应用。这层物质在干燥时具有很好的感光效果，而且在光刻蚀过程结束之后，能够通过化学方法将其溶解并除去。

● 光刻蚀

这是目前的CPU制造过程当中工艺非常复杂的一个步骤，为什么这么说呢？光刻蚀过程就是使用一定波长的光在感光层中刻出相应的刻痕， 由此改变该处材料的化学特性。这项技术对于所用光的波长要求极为严格，需要使用短波长的紫外线和大曲率的透镜。刻蚀过程还会受到晶圆上的污点的影响。每一步刻蚀都是一个复杂而精细的过程。设计每一步过程的所需要的数据量都可以用10GB的单位来计量，而且制造每块处理器所需要的刻蚀步骤都超过20步（每一步进行一层刻蚀）。而且每一层刻蚀的图纸如果放大许多倍的话，可以和整个纽约市外加郊区范围的地图相比，甚至还要复杂，试想一下，把整个纽约地图缩小到实际面积大小只有100个平方毫米的芯片上，那么这个芯片的结构有多么复杂，可想而知了吧。

单晶硅锭和最初的核心架构

当这些刻蚀工作全部完成之后，晶圆被翻转过来。短波长光线透过石英模板上镂空的刻痕照射到晶圆的感光层上，然后撤掉光线和模板。通过化学方法除去暴露在外边的感光层物质，而二氧化硅马上在陋空位置的下方生成。

英特尔技术人员在监测自动湿刻蚀工具中的晶圆，该工艺可清除晶圆上多余的操作助剂或者污染物。

● 掺杂

在残留的感光层物质被去除之后，剩下的就是充满的沟壑的二氧化硅层以及暴露出来的在该层下方的硅层。这一步之后，另一个二氧化硅层制作完成。然后，加入另一个带有感光层的多晶硅层。多晶硅是门电路的另一种类型。由于此处使用到了金属原料（因此称作金属氧化物半导体），多晶硅允许在晶体管队列端口电压起作用之前建立门电路。感光层同时还要被短波长光线透过掩模刻蚀。再经过一部刻蚀，所需的全部门电路就已经基本成型了。然后，要对暴露在外的硅层通过化学方式进行离子轰击，此处的目的是生成N沟道或P沟道。这个掺杂过程创建了全部的晶体管及彼此间的电路连接，没个晶体管都有输入端和输出端，两端之间被称作端口。

● 重复这一过程

从这一步起，你将持续添加层级，加入一个二氧化硅层，然后光刻一次。重复这些步骤，然后就出现了一个多层立体架构，这就是你目前使用的处理器的萌芽状态了。在每层之间采用金属涂膜的技术进行层间的导电连接。今天的P4处理器采用了7层金属连接，而Athlon64使用了9层，所使用的层数取决于最初的版图设计，并不直接代表着最终产品的性能差异。

● 测试 封装测试过程

接下来的几个星期就需要对晶圆进行一关接一关的测试，包括检测晶圆的电学特性，看是否有逻辑错误，如果有，是在哪一层出现的等等。而后，晶圆上每一个出现问题的芯片单元将被单独测试来确定该芯片有否特殊加工需要。

技术人员正在检查各个晶圆，确保每个晶圆都处于最佳状态。每个晶圆中可能包含数百个芯片。

晶圆在测试过程中旋转时的特写

而后，整片的晶圆被切割成一个个独立的处理器芯片单元。在最初测试中，那些检测不合格的单元将被遗弃。这些被切割下来的芯片单元将被采用某种方式进行封装，这样它就可以顺利的插入某种接口规格的主板了。大多数Intel和AMD的处理器都会被覆盖一个散热层。在处理器成品完成之后，还要进行全方位的芯片功能检测。这一部会产生不同等级的产品，一些芯片的运行频率相对较高，于是打上高频率产品的名称和编号，而那些运行频率相对较低的芯片则加以改造，打上其它的低频率型号。这就是不同市场定位的处理器。而还有一些处理器可能在芯片功能上有一些不足之处。比如它在缓存功能上有缺陷（这种缺陷足以导致绝大多数的CPU瘫痪），那么它们就会被屏蔽掉一些缓存容量，降低了性能，当然也就降低了产品的售价，这就是Celeron和Sempron的由来。

在CPU的包装过程完成之后，许多产品还要再进行一次测试来确保先前的制作过程无一疏漏，且产品完全遵照规格所述，没有偏差。

以上就是CPU整个制作过程，相信大家一定看的很爽吧？而对于想了解CPU的朋友，这篇文章可以满足您的需求了。但对于更深一层了解更为详细的CPU制作原理，还需要查找一些专业的资料来研究，这里小编就不在一一解释，希望大家谅解

无金属合成锆石是什么材料

锆石含有Hf、Th、U、TR等混入物。主要化学成分为硅酸锆；化学组成为Zr[SiO_]，晶体属四方晶系的岛状结构硅酸盐矿物。晶体呈短柱状，通常为四方柱、四方双锥或复四方双锥的聚形。

锆石颜色多样，有无色、紫红、金黄色、淡黄色、石榴红、橄榄绿，香槟，粉红，紫蓝，苹果绿等，一般有无色、蓝色和红色品种。

早在1890年，法国已有人制成成分为硅酸锆(zrsio4)的合成锆石，但晶体很小，仅有科学意义。现虽已可制成3毫米2毫米的正方晶体(紫色)，但尚无法用于生产。

40cmd8是什么材料,是哪个国家的，对照中国的是什么..急急急急急急

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产地/厂家 英国、德国、中国、美国、日本、法国、瑞典

模具钢：T7 T7A T8 T8A T8Mn T8MnA T9 T9A T10 T10A T11 T11A T12 T12A T13 T13A 9SiCr 8MnSi Cr06 Cr2 9Cr2 4CrW2Si 5CrW2Si 6CrW2Si 6CrMnSi2Mo1V 5Cr3Mn1SiMo1V Cr12 Cr12Mo1V1 Cr12MoV Cr5Mo1V 9Mn2V Cr2Mn 9CrWMn Cr4W2MoV 7CrSiMnMoV 6Cr4W3Mo2VNb 6W6Mo5Cr4V 5CrMnMo 5CrNiMo 3Cr2W8V 5Cr4Mo3SiMnVAl 3Cr3Mo3 W2V 5Cr4W5 Mo2V 8Cr3 4CrMnSiMoV 4Cr3Mo3SiV 4Cr5MoSiV 4Cr5MoSiV1 4Cr5W2VSi 7Mn15Cr2Al3V2WMo 3Cr2Mo 3Cr2MnNiMo W18Cr4V W18Cr4VCo5 W18Cr4V2Co8 W12Cr4V5Co5 W6Mo5Cr4V2 CW6Mo5Cr4V2 W6Mo5Cr4V3 CW6Mo5Cr4V3 W2Mo9Cr4V2 W6Mo5Cr4V2Co5 W7Mo4Cr4V2Co5 W2Mo9Cr4VCo8 W9Mo3Cr4V W6Mo5Cr4V2Al SM45 SM50 SM55 SM1CrNi3 SM3Cr2Mo SM3Cr2Ni1Mo SM2CrNi3MoAl1S SM4Cr5MoSiV SM4Cr5MoSiV1 SMCr12Mo1V1 SM2Cr13 SM4Cr13 SM3Cr17Mo 5CrMnMo 5CrNiMo 4CrMnSiMoV 4SiMnMoV 4Cr2MoVNi 5CrNiMoV 5Cr2NiMoVSi 6Cr4W3Mo2VNb 6W6Mo5Cr4V 8Cr2MnWMoVS 7CrSiMnMoV 6CrNiWMoV Cr8MoWV3 6CrNiSiMnMoV 9Cr6W3Mo2V2 7Cr7Mo2V2Si 7Cr7Mo3V2Si 5Cr4Mo3SiMnVAl 5Cr2NiMoVSi 6Cr4Mo3Ni2WV 3Cr3Mo2MnV 4Cr3Mo2MnVB 4Cr3Mo2W4VTiNb 4Cr3Mo2NiVNb 3Cr3Mo3W2V 2Cr3Mo3VNb 5Cr4W5Mo2V 4Cr3Mo2WVMn 4Cr3Mo2MnVNbB 4Cr5Mo2MnVSi 3Cr3Mo2WV 5CrNiMnMoVSCa 0Cr16Ni4Cu3Nb 1Ni3Mn2MoAl 4Cr13Cu Y55CrNiMnMoV 20CrNi3AlMnMo W12Mo3Cr4V3N CW9Mo3Cr4VN W9Mo3Cr4V3 W9Mo3Cr4VAl W9Mo3Cr4VCo5 W8Mo5Cr4VCo3N W12Mo3Cr4VCo3N V3N CW9 W9V3 W9Al W9Co5 W8Co3N W12Co3N YG3X YG3 YG4C YG6X YG6A YG6 YG8A YG8C YG8 YG8N YG10C YG10H YG11C YG15 YG20C YG20 YG25 YT5 YT14 YT15 YT05 YT30 YW1 YW2 YW3 YW4 YH1 YH2 YN05 YN10 R5 R8 T1 D1 GT35 ST60 GW50 GJW50 YE50 YE65 C45U C70U C80U C90U C105U C120U C70E2U C80E2U C90E2U C105E2U C105E2UV1 C120E3U C140E3U C120E3UCr4 C140E3UCr4 C38E4U C42E4U C48E4U C55E4U C65E4U Y170 Y180 Y190 Y1105 Y2120 Y2140 Y2120C Y2140C Y338 Y342 Y348 Y355 Y365 21MnCr5 35CrMo7 40CrMnNiMo8-6-4 45NiCrMo16 50WCrV8 60WCrV8 70MnMoCr8 90MnCrV8 95MnWCr5 102Cr6 105V X38CrMo16 X40Cr14 X100CrMoV5 X153CrMoV12 X210Cr12 X210CrW12 50CrMoV13 70MoCrMo8 90MnV8 90MnWCrV45 100V2 100Cr2 100Cr6 100CrMn6 105WCr5 130Cr3 X100CrMoV5 X160CrMoV12 X160CrCoMoV12-3 X200Cr12 X200CrMo12-1 X210CrW12-1 35NiCr15 35CrMnMo7 40CrMnMo8 42CrMo4 45SiCrMo6 45WCrV8 46Si7 51Si7 60Si8 X20Cr13 X33Cr13 X38CrMo16-1 X40Cr14 X44Cr14 X54Cr14 X100CrMo17 X1CrNiMoAl12-9 X2NiCoMoTi18-8-5 50CDV13 70MCD8 90MV8 90MWCV5 100V2 Y100C2 Y100C6 100CM6 105WC13 130C3 Z100CDV5 Z160CDV12 Z160CKDV12-03 Z200C12 Z200CD12 Z210CW12-01 Y35NC15 35CMD7 40CMD8 Y42CD4 Y45SCD6 45WCV20 Y46S7 Y51S7 Y60S7 Z20C13 Z33C13 Z38CD16-01 Z40C14 Z44C14 Z54C14 Z100CD17 Z1CNDA12-09 Z2NKDT18-08-05 32CrMoV12-28 38CrCoWV18-17-17 50CrMoV13-15 55NiCrMoV7 X30WCrV9-3 X35CrWMoV5 X37CrMoV5-1 X38CrMoV5-3 X40CrMoV5-1 35CrMo8 35NiCrMoV8 40CrMoV13 40NiCrMo16 40NiCrMoV16 45CrMoV6 55CrNiMoV4 20MoNi34-13 32CrMoV12-28 X35CrWMoV5 X38CrMoV5 X38CrMoV5-3 X40CrMoV5 X30WCrV9 X32WCrV5 X56CrMoWV4 X80MoCrV42-16 X15CrNiSi25-20 X15NiCrSi37-18 X20Cr13 X21CrNi17 35CD8 35NCDV8 40CDV13 40NCDV16 45CDV6 55CNDV4 55NCDV7 20DN34-13 32CDV12-28 Z35CWDV5 Z38CDV5 Z38CDV5-3 Z40CDV5 Z30WCV9 Z32WCV5 Z56CDWV4 Y80DCV42-16 Z15CNS25-20 Z15NCS37-18 Z20C13 Z21CN17 HSO-4-1 HS1-4-2 HS1-8-1 HS2-9-1-8 HS2-9-2 HS3-3-2 HS6-5-2 HS6-5-2-5 HS6-5-2C HS6-5-3 HS6-5-3-8 HS6-5-3C HS6-5-4 HS6-6-2 HS10-4-3-10 HS18-0-1

美国的C80混凝土强度与中国的C80混凝土强度有何不同

美国的C80混凝土强度为圆柱体抗压强度，中国的为立方体抗压强度。

最新的混凝土设计规范（送审稿）规定：

棱柱强度与立方强度之比值c1：对C50及以下普通混凝土取0.76；对高强混凝土C80取0.82，中间按线性规律变化插值；

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