c0g电容是什么材质(C0G陶瓷电容)
本篇文章给大家谈谈c0g电容是什么材质,以及C0G陶瓷电容对应的知识点,希望对各位有所帮助。
电容的材质C0G与NP0一样吗?
陶瓷电容分为I类瓷介电容和II类瓷介电容,C0G和NP0都是I类陶瓷电容,X7R、X5R、Y5U、Y5V都是II类瓷介电容。
I类瓷介电容特点是容量稳定性好,基本不随之温度、电压、时间的变化而变化,但是容量一般较小;温度特性(温度范围:-55度~125度、温度系数:030ppm/℃以内。
II类瓷介电容的容量稳定较差,X7R(工作温度范围:-55--125),X5R(工作温度范围:-55--85度),Y5U、Y5V(工作温度范围:-30--85度),但是容量相对较大,目前技术最大可达6.3V-100uF/25V-47uF的水平。
所以应用在对容量稳定性有要求的场合就选I类电容:NP0,C0G.用在一般的滤波场合选X7R,因为容量变化率相对其他II类瓷介电容小一些。
贴片电容材质NPO和COG怎么区分?
贴片电容全称为多层片式陶瓷电容器,相当于一个绝缘体,在直流电路中能起到断路的作用,在SMT加工行业中是最常用的电子元件之一。
贴片电容主要分为NPO贴片电容、X7R贴片电容、X5R贴片电容,它们之间的区别主要在于填充的介质不同,在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一、NPO贴片电容
NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷贴片电容。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO贴片电容是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到125℃时容量变化为030ppm/℃,电容量随频率的变化小于0.3C。NPO电容的漂移或滞后小于0.05%,相对大于2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。
封 装 DC=50V DC=100V
0805 0.5---1000pF 0.5---820pF1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF1210 560---5600pF 560---2700pF2225 1000pF---0.033F 1000pF---0.018FNPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。
二、X7R贴片电容
X7R贴片电容被称为温度稳定型的陶瓷贴片。当温度在-55℃到 125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%C,表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。
封 装 DC=50V DC=100V
0805 330pF---0.056F 330pF---0.012F
1206 1000pF---0.15F 1000pF---0.047F
1210 1000pF---0.22F 1000pF---0.1F
2225 0.01F---1F 0.01F---0.56F
三、X5R贴片电容
X5R贴片电容被称为高容值电容器担当。当温度在-55℃到 85℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。X5R贴片电容主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做得比较大。下表给出了X5R电容器可选取的容量范围。0.1uF~220uF之间,耐压值在4V~50V之间。
在选择贴片电容,不仅要看质量价格,还要看贴片电容属于哪一类型,根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器,以实现贴片电容的最高价值。
C0G介质的贴片电容都可以用于高频电路吗
C0G介质的贴片电容也叫NPO介质的贴片电容
NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为030ppm/℃,电容量随频率的变化小于0.3C。NPO电容的漂移或滞后小于0.05%,相对大于2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。
封 装 DC=50V DC=100V
0805 0.5---1000pF 0.5---820pF
1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF
1210 560---5600pF 560---2700pF
2225 1000pF---0.033F 1000pF---0.018F
NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。
军用钽电容介质一般有哪些,那个性能好? CG与COG是否一致,2R1和X7R又有什么区别?
1.钽电容器的工作介质是在钽金属表面生成的一层极薄的五氧化二钽膜。在钽电容器工作过程中,具有自动修补或隔绝氧化膜中的疵点所在的性能,使氧化膜介质随时得到加固和恢复其应有的绝缘能力,而不致遭到连续的累积性破坏。这种独特自愈性能,保证了其长寿命和可靠性的优势。但这种钽电容有个最大的缺点,就是抗过流(指纹波电流)能力很弱,非常容易爆炸,所以设计时千万别放在电源的入口。
2.?这几年新推出了一种聚合物钽电容,这种钽电容抗过流能力强,而且不会爆炸。基美和AVX都有生产,但因为价格成本原因目前用户并不太多。
3.?军用钽电容的结构工艺和生产工艺是一样的,只是在军用设备里对温度要求抗震要求比较高,所以军用设备里电解电容的用量相对少一些,而且军用设备很少考虑设计成本,所以有的军用设备就大量地使用钽电容来代替铝电解电容,这样对电容量要求就比较大,对耐压要求也高,前两天刚跟一个生产钽电容的厂家一起讨论钽电容的一些问题,从中了解到他们在给海南一个军工企业供应钽电容,电容的材料没有太大区别,具体技术他们没有透露,只是容量、耐压、外形都很大,有680UF/35V,470UF/35V,这种电容市场上是没有卖的。
4.我了解到的C0G属于CG组里的一种,?属1类陶瓷介质,也就是说C0G(注意是数字0不是字母O)是陶瓷电容的一种,电气性能稳定,基本上不随时间、温度、电压变化,适用于高可靠、高稳定的高额、特高频场合。
特性:
电容范围?1pF~0.1uF?(10.2V?rms?1MHz)
环境温度:?-55℃~+125℃?组别:CG
温度特性:?030ppm/℃
损耗角正切值:?15x10-4
绝缘电阻:?≥10G
抗电强度:?2.5倍额定电压?5秒?浪涌电流:≤50毫安
5.X7R属于EIA标准里的二类陶瓷电容,其相同体积下,X7R的容量做的比C0G大很多,C0G只能做小容量的,一般常见的就1000P以下,X7R容量今年应该可以做到102-22UF,我们有在使用,2R1应该是没有的,现在新出的还有X8R,无论是C0G、X7R、Y5V?,都只是用于制作陶瓷电容的材质特性,详细如下表:
6.各种电容的特性对比请参考下表:分别是陶瓷电容、固态电容、钽电容、铝电解电容的对比
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c0g电容是什么材质的介绍就聊到这里吧,感谢你花时间阅读本站内容。
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