mo源是什么材料（mo源主要用途）

今天给各位分享mo源是什么材料的知识，其中也会对mo源主要用途进行解释，现在开始吧！

南大光电4项业务：MO源、光刻胶、电子特气、ALD前驱体产品

为了写完光刻胶的研究任务，挑了南大光电， 本文写完的时候也是一个月前，一直放到草稿箱里到今天才发 ，所以一些信息可能没更新（比如南大光电的光刻胶通过的客户认证）。

公司的主营业务主要有MO源、光刻胶、电子特气、ALD前驱体产品。

我想此刻我们的心情是一样的。

为了了解这2个英文字母+1个汉字，估计我得对各个概念如剥笋般层层研究。首先看MO源，即“高纯金属有机源”，是制备LED、新一代太阳能电池、相变存储器、半导体激光器、射频集成电路芯片等的核心原材料，在半导体照明、信息通讯、航天等领域有极重要的作用。公司2010年在国内MO源的市场份额60%，全球15%。

它的下游客户，带“光电”二字的公司很多，可以进一步了解到，这个东西应该主要应用于光电子行业，如LED和太阳能电池。

好了，虽然不知道这个东西，但至少可以了解到它是做半导体的某种核心基本材料，看样子是不可或缺的。而且公司是这一块的绝对龙头（都60%市占率了还能说啥？）。

MO源“是利用先进的金属有机化学气相沉积（以下简称‘MOCVD’）工艺生成化合物半导体材料的关键支撑原材料，因而又被称为MOCVD的‘前体物’。MO源的质量直接决定了最终器件的性能，因此MOCVD工艺对MO源的质量要求很高，其中纯度是衡量MO源质量的关键指标。”

气相沉积不难理解，我个人通俗理解是，用化学气体或蒸汽附在材料上，形成一个涂层。化合物半导体就是之前我在《三安光电年报解读》中讲到的SiC、GaN之类。所以我对MO源这句话的通俗理解就是：为了做出SiC之类的第三代半导体，你得用上气相沉积（MOCVD）工艺，那为了用好这个工艺，你得用上高纯度的MO源。

MO源有60多种，三甲基镓和三甲基铟是最主要的两种MO源，其中又以三甲基镓的用量最大，使用比例在80%左右，三甲基铟使用比例平均不超过10%。

招股书继续写道：

看到这里林北清楚多了：三安、乾照等LED外延片供应商，使用的是MOCVD技术，把MO源上的原材料附着在衬底上，外延生长出化合物半导体，也就是我们常说的LED外延片。事实上，90%以上的MO源都被用于生产LED外延片。所以，对MO源市场前景的判断，关键就看LED的市场前景，而其需求又和MOCVD设备直接相关。

话虽如此，往后的报表却很不乐观。LED后来进入产能过剩阶段，MO源价格也跟着讲，毛利也从80%陆续下降到70%、60%、50%，其中用量最大的三甲基镓的毛利率更是从上市前最高70%掉到6%。

即电子特种气体，号称半导体生产过程中的“粮食”。具体可以看一下林北写过的《华特气体年报解读》。

公司于2013年成立了全椒南大材料，2016年才完成高纯磷烷、砷烷产品的产线建设；2019年直接并购山东飞源，又获得了三氟化氮、六氟化硫的生产能力。特气业务增长迅速，17年开始每年营业额是3600万、7800万、1.64亿，已经比MO源还多，毛利率也稳定在50%左右。

特气这个行业不太好理解，主要是气体太多太杂，各个环节要用到的气体也不一样。在《华特气体年报解读》一文中，林北明确表示对特气公司只看不投，因为真的不懂。

2016年公司参股了北京科华微电子材料有限公司，经过笔者研究，北京科华应该是目前国内技术实力最强的光刻胶企业，唯一一家通过了EUV光刻胶“02专项”研发。但是现在在北京科华的工商信息上，看不到南大光电了，记录显示是2019年初转让掉的。

2018年，“193nm光刻胶及配套材料关键技术开发项目”和“ArF光刻胶开发和产业化项目”获得国家02专项的正式立项，获得中央财政拨款1.3亿。公司新设了光刻胶事业部，成立“宁波南大光电材料有限公司”。

总而言之，公司虽然有光刻胶的概念，但并没有实际开展业务，而且充满不确定性。不像晶瑞股份等是从g线、i线开始做，而是一上来就搞ArF，而且都处在“专项科研”阶段。

说它是业务有点勉强，它是公司16年和 科技 部签订的一个研究项目“ALD金属有机前驱体产品的开发和安全离子注入产品开发”。前驱体就是一个东西之前的形态，就像暴龙兽之前是亚古兽，再之前是滚球兽一样，额，这是我的理解。

ALD即原子层沉积，前面讲到气相沉积，就相当于给衬底烘一层蒸汽让物质附在上面，而ALD更厉害，直接以单原子膜的形式一层一层地附在上面。ALD懂了，前驱体懂了，ALD前驱体是什么，抱歉，我还没看懂。

南大光电是一家典型的高 科技 公司，所以林北只研究了它的行业，用来辅助最近的光刻胶行业调查任务，并没有对财务进行分析。总而言之，南大光电之前做MO源，但最近这门生意好惨。为了走出困境，公司积极布局电子特气行业，经过3年努力，特气的业务已经超过了老业务MO源。

然后是我关心的光刻胶行业，作为南大的校企（大股东南京大学资产经营有限公司），公司也理所当然地能拿到国家科研专项任务，一上来就高举高打研发ArF光刻胶，这可是中国目前没有办法供应的产品，同样还在研发的还有北京科华和容大感光。当然，所有这些公司都还在研发中，还没有一家投放市场，接着光刻胶的概念，好几年股价震荡的南大光电迎来大涨。

2019年1月，南大光电卖掉了北京科华的股份，价值1.7亿，获得了近2000万投资收益，占利润总额的28.87%，多好的一只母鸡就这么被卖掉了，现在公司多了一家技术NB的竞争者。但笔者不是公司高管，对此举不好评论。

国产光刻胶成功突破，粉碎日本垄断梦

近日，半导体领域迎来重磅消息，南大光电的ArF光刻胶取得突破，国产光刻胶终于来了！

南大光电光刻胶突破

早在5月30日，南大光电就已经发布公告称，公司自主研发的ArF光刻胶产品通过客户认证，具备55nm工艺要求。

7月2日，有报道称，南大光电的ArF光刻胶产品目前已经拿到了小批量订单。

这都在表明，国产光刻胶终于不再受制于人，而是实现国产化了。

芯片在制造过程中，除了硅这种主要材料之外，一些辅助材料也至关重要，其中有一种名为光刻胶的材料，在芯片制造过程中必不可少，然而，这个材料却长期被日本垄断，中国也在这方面一直被卡脖子。

而最近传出的一个消息，对我国半导体的发展非常不利，日本对中国供应的光刻胶出现了“断供”的现象。美国召开G7峰会后，日本宣布光刻胶断供中国，日本信越化学等光刻胶企业开始限制供应ArF光刻胶产品。

断供光刻胶，对半导体行业的人而言并不陌生，2019年日韩贸易冲突白热化，日本就断供了光刻胶，导致当时全球最大的芯片厂商三星陷入了困境之中。

虽然韩国积极向日本低头求和并开展自救，但芯片生产依然受到巨大影响，间接推动了2020年的芯片短缺。

巧妇难为无米之炊，没有了光刻胶，对于中国的晶圆厂而言是巨大的打击，芯片生产将被迫停止！

好在，光刻胶的国产化进程并不慢，日企断供短短半年时间，南大光电就已经将国产光刻胶投入市场中了。

南大光电，成立于2000年12月，是以南京大学国家863计划研究成果作为技术支持的中国高纯金属有机化合物MO源的产业化基地。

1986年，863计划启动，在高济宇院士的支持和指导下，学者孙祥祯牵头进行MO源的技术攻关。MO源是一种禁运物资，更是生产化合物半导体的源头材料，对我国国防安全、高 科技 民族工业有重要意义。

历经重重困难，孙祥祯带领的课题组终于研制出了纯度大于5.5N的多个品种的MO源，全面向国内近20家研究单位供货，缓解了我国对MO源的急求。

这项工艺不仅促进了国防工业的发展，更为国内化合物半导体材料的发展奠定了原始的基础。

孙祥祯退休后，带领年轻人创立了南大光电，注册资本3770万元，生产拥有自主知识产权的高纯金属有机化合物，是国内唯一实现MO源产业化的企业，公司的技术主要来源便是南京大学863计划中的项目。

公司主要产品有三甲基镓，三甲基铟，三甲基铝，二茂镁等十几种MO源，在产品的合成、纯化、分析、封装、储运及安全操作等方面已达到国际先进水平，产品远销日本、韩国、欧洲市场，并占有大陆70%的市场份额。

作为国内唯一将半导体光学原材料实现量产的企业，南大光电对于光刻胶可以说十分熟悉，也是最有可能突破光刻胶技术的企业。

中国半导体在崛起

光刻胶到底是做什么用的呢？

芯片生产过程中，需要用光学材料将数以万计的电路刻在小小的7nm的芯片上，而这种辅助的光学材料，就是光刻胶。

在光刻胶领域，材料主要分为四种，分别为g线、i线、KrF、ArF光刻胶，半导体工艺越高，光刻机的精度越高，照射的光线频率越高，波长越短。

光刻胶的分辨率会随着光线频率的改变而不断变化，基本的演进路线是：g线（436nm） i线（365nm） KrF（248nm） ArF（193nm） F2（157nm） EUV（

其中，ArF光刻胶的制造难度是最高的，这也是14nm/7nm芯片制造过程中不可或缺的原材料。

芯片的工艺也分等级，平板电脑、 汽车 芯片等工艺水平并不高，这各等级的芯片中国已经实现了从光刻机到芯片的完全自主化生产。真正困难的在于7nm的芯片，也就是华为遭到断供的手机芯片。

这种工艺的手机芯片，不仅需要荷兰ASML先进的EVU光刻机来生产，更需要高端的光刻胶作为辅助材料，以及大量的芯片原材料，才能成功生产出华为手机所需要的芯片。

光刻机被美国和荷兰的公司垄断，现在EVU光刻机对中国处于断供状态，中芯国际花了12亿购买的EVU光刻机至今仍未到货；

芯片原材料，虽然国内已有部分原材料实现自主生产，但是硅片、光掩模、电子特气、抛光材料、溅射靶材、光刻胶以及湿电子化学品这其中原材料完全依赖进口。

在全球光刻胶市场，日本东京应化，JSR，住友化学，信越化学等企业，掌握了全球半导体光刻胶市场的90%左右份额，几乎是垄断的状态。

方正证券的报告显示，中国大陆企业在全球光刻胶领域占有率不到13%，在半导体光刻胶领域更是不足5%，完全被日本卡了脖子！

但是，进入2021年以后，中国半导体行业国产化的趋势越来越强！

首先是光刻机领域，上海微电子已经实现28nm光刻机的量产，预计2022年可以交付，这款光刻机的性能与荷兰ASML的DVU光刻机相似，可以生产14nm制程工艺的芯片。

另外，美国虽然断供了最先进的EVU光刻机，但是制程工艺相对较低的DVU光刻机却没有断供，而荷兰ASML也明确表态过，EVU光刻机也可以用于7nm工艺芯片，英特尔的10nm工艺、台积电第一个7nm芯片，都是用DVU光刻机实现。

这意味着，2022年，现有的光刻机技术或许能够提前量产华为所需的7nm芯片，打破美国封锁。

而生产7nm工艺芯片所需要的ArF光刻胶，在7月2日就已经有国外企业向南大光电订购了，这意味着半导体光刻胶原材料也实现了自主化。

另外，南大光电，容大感光、上海新阳等国内企业，也在持续研发高端光刻胶，争取在现有技术上进一步突破，追上日本的光刻胶技术。

剩下的6种完全依赖进口的原材料，国内的企业肯定也已经发现了商机，正在朝着国产化转变；最关键的两项技术突破后，中国实现手机芯片国产化的日子也就不远了。

空谈误国、实干兴邦，中国的半导体行业，正在默默地奋力追赶，一如这次南大光电突然给市场来个惊喜一样，未来还将会看到更多的一鸣惊人的突破。

中国半导体，正在以惊人的速度崛起！

作者 | 金莱

我国氮化镓生产巨头

国内有多家氮化镓龙头企业，各自有主打产品，并没有某一个企业垄断了一种化工原料的现象出现。下面梳理一下国内比较知名的氮化镓企业。

一、三安光电

化合物半导体代工，已完成部分GaN的产线布局，是氮化镓的龙头。三安光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、微波通讯集成电路与功率器件、光通讯元器件等的研发、生产与销售，产品性能指标居国际先进水平。

二、闻泰科技

其安世入股的Transphorm获得了车规级认证，车载GaN已经量产，全球最优质的氮化镓供应商之一。

公司主营通讯和半导体两大业务板块，目前已经形成从芯片设计、晶圆制造、半导体封装测试到产业物联网、通讯终端、笔记本电脑、IoT、汽车电子产品研发制造于一体的庞大产业布局。通讯业务板块包括手机、平板、笔电、IoT、汽车电子等领域。

三、耐威科技

公司目前的第三代半导体业务主要是指GaN(氮化镓)材料的生长与器件的设计，公司已成功研制8英寸硅基氮化镓外延晶圆，且正在持续研发氮化镓器件。

北京耐威科技股份有限公司以传感技术为核心，紧密围绕物联网、特种电子两大产业链，一方面大力发展MEMS、导航、航空电子三大核心业务，一方面积极布局无人系统、第三代半导体材料和器件等潜力业务，致力于成为具备高竞争门槛的一流民营科技企业集团。

公司主要产品及业务包括MEMS芯片的工艺开发及晶圆制造、导航系统及器件、航空电子系统等，应用领域包括通信、生物医疗、工业科学、消费电子、航空航天、智能交通等。

公司业务遍及全球，客户包括特种电子用户以及全球DNA/RNA测序仪巨头、新型超声设备巨头、网络通信和应用巨头以及工业和消费细分行业的领先企业。

四、南大光电

公司的高纯磷烷、砷烷研发和产业化项目已经列入国家科技重大专项。高纯磷烷和高纯砷烷都是LED、超大规模集成电路、砷化镓太阳能电池的重要原材料。

MO源是MOCVD技术生长化合物半导体超薄型膜材料的支撑材料。化合物半导体主要用于制造高亮度发光管、高迁移率晶体管、半导体激光器、太阳能电池等器件，在红外探测、超高速计算机等方面的应用也有着光明的前景。

五、海陆重工

旗下江苏能华微电子科技发展有限公有专业研发、生产以氮化镓( GaN)为代表的复合半导体高性能晶圆，并用其做成功率器件。

苏州海陆重工股份有限公司位于江苏省张家港市开发区，是国内一流的节能环保设备的专业设计制造企业，目前并已初步形成锅炉产品、大型压力容器、核电设备、低温产品、环保工程共同发展的业务格局。

扩展资料

一、氮化镓在新型电子器件中的应用

GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破，成功地生长出了GaN多种异质结构。

用GaN材料制备出了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管（MODFET）等新型器件。

调制掺杂的AlGaN/GaN结构具有高的电子迁移率(2000cm2/vs)、高的饱和速度(1107cm/s)、较低的介电常数，是制作微波器件的优先材料；GaN较宽的禁带宽度(3.4eV) 及蓝宝石等材料作衬底，散热性能好，有利于器件在大功率条件下工作。

二、氮化镓在光电器件中的应用

GaN材料系列是一种理想的短波长发光器件材料，GaN及其合金的带隙覆盖了从红色到紫外的光谱范围。自从1991年日本研制出同质结GaN蓝色 LED之后，InGaN/AlGaN双异质结超亮度蓝色LED、InGaN单量子阱GaNLED相继问世。

目前，Zcd和6cd单量子阱GaN蓝色和绿色 LED已进入大批量生产阶段，从而填补了市场上蓝色LED多年的空白。以发光效率为标志的LED发展历程见图3。

蓝色发光器件在高密度光盘的信息存取、全光显示、激光打印机等领域有着巨大的应用市场。随着对Ⅲ族氮化物材料和器件研究与开发工作的不断深入，GaInN超高度蓝光、绿光LED技术已经实现商品化，现在世界各大公司和研究机构都纷纷投入巨资加入到开发蓝光LED的竞争行列。

什么是MO源？MO源国内主要提供厂商有哪些？

MO源 （metalorganic source）种类繁多，在研究和生产中使用过的MO源超过70多种， MO源概念已超出金属有机化合物的范围，现在MO源的含义应是：凡在MOCVD外延技术中作为基本材料使用的金属或元素有机化合物统称为MO源，因此MO源在外国文献中常笼统地称为“MOCVD的前体物（Precursor）”。但是在化合物半导体材料研发和生产中，除Ⅴ、Ⅵ族元素的氢化物（如NH3、AsH3、H2Se等）外，MOCVD工艺使用的高纯基础材料主要是Ⅱ、Ⅲ族的金属有机化合物（如TMGa、DMCd等）和Ⅴ、Ⅵ族元素有机化合物（TBP、TBAs等），目前在MOCVD工艺中使用的Ⅴ、Ⅵ族材料仍是元素的氢化物为主。

据我所知，中国做的最好的应该是南大光电了。

江苏南大光电材料股份有限公司（股票代码：300346），成立于2000年，坐落于苏州工业园区，是一家专业从事高纯电子材料研发、生产和销售的高新技术企业 ，主要产品有MO源、特种气体（砷烷、磷烷）、安全源（负离子注入源）等。

南大光电是目前国内唯一MO源大规模产业化生产的企业，亦是全球四大MO源制造商之一。 南大光电拥有完善的质量管理体系，公司已经通过ISO9001：2008质量管理体系认证、ISO14001:2004环境管理体系认证以及OHSAS18001：2007职业健康与安全管理体系认证。公司产品得到全球用户广泛认可，已经成功进入了中国大陆、台湾地区、韩国、美国、日本、欧洲等主要市场。

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